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zhaowending edited this page Dec 28, 2017 · 14 revisions

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电路控制模块

电路板设计

给4*8 个switch 走线用的电路板设计,八层电路板集成了switch的电路,然后可以连接到fpga上实现电学控制, [-/pdf/design of ttl switch.zip](-/pdf/design of ttl switch.zip) 之前做的一个机械的铁架,用于支撑电路板 -/pdf/电路板支撑架.zip TTL的连接板焊接完成 测试了ttl焊接板,发现有一些问题,重新做了设计,正在制作中

任意波形发生器

任意波形发生器到货,简单尝试了一下硬件的基础功能,还有软件的基本功能 具体的软件使用和编写见附件: 使用手册简单讲解了一下软件的安装和使用方法 -/pdf/任意波形发生器的使用手册.docx 这个matlab程序是使用说明里面主要的example,对照看一下 -/pdf/rep_std_single_work.m 需要安装软件的的可以找我这里拿光盘

产生任意波形,输入输出波形进行对比,检测AWG性能

-/pdf/awg_test_waveform.pptx 除了任意波形测试外,测试逐步变大的sin函数图形,以及全1全0的测试 sin图形没有突变,连接处相位一样,都可以把初始点作为各自的初相位0起始点。 全1和全0可以一直保持稳定长达>30min,后面就没测了,应该没有问题,偏差率<0.2% 更新的ppt-/pdf/2awg_test_waveform2.pptx

购买DDS和使用

购买DDS安装进行简单的硬件操作,并学习如何通过编程使用 -/pdf/dds使用说明.docx

真空搭建模块

测试腔体真空度,RGA残余气体分析器

压缩包中: rga操作word:主要介绍RGA原理、软件介绍、软件下载等等 分析结果word:以surface trap的腔体为例做了一次抽真空测试和RGA残余气体分析的例子,以及一些注意事项和原理分析。 真空度随温度时间word:记录了真空度随温度和时间的变化情况 压缩包中.rga文件是测试RGA软件生成的数据文件是,需要下载RGA程序,使用方法和下载方式在Rrga操作的word当中有详细介绍 [-/pdf/RGA gas analysis.zip](-/pdf/RGA gas analysis.zip)

真空部件清洗(with 梅全鑫)

两套真空器件的清洗和预烘烤已经完成,正在连接两套真空系统,和surface trap的真空腔体

trap组装 (with 梅全鑫)

blade trap(包括刀片清洗,金带压焊,走线连接等)和4 road trap组装的完成

钨丝的处理

利用电化学腐蚀和电解,对钨丝进行处理让钨丝光滑的,保持表面平整。 具体流程1.首先测量钨丝在不同电压下电化学腐蚀情况,和对应电流,记录I-V曲线,接下来根据文献中给出的结果分析I-V曲线,和最优化的电压电流值。2.尝试不同电流电压值观察电化学之后的表面光滑程度 3.确定电压电流之后尝试不同时间,观察合适的电化学腐蚀时间。4.确定电化学的参数和抛光的流程。 -/pdf/电化学钨丝总结.docx

测试oven支架在真空中的电流等性能

真空器件组装

目前完成了第一套真空系统的组装,准备清洗第二套真空部件

4road trap

4road trap搭建完成,具体过程和注意事项见word:-/pdf/4road装配.docx

真空操作台更换滤芯

surface trap

镀铝保护金电极,同时外加光刻胶在切片时起到保护铝的作用,为了测试确定打孔和切片等参数做了两块样品,同时熟悉细化流程步骤

10*10mm机械打孔不易黏和基底,(但成功了几片),新制作样品尝试先机械打孔再切片

明确芯片更换时缩短烘烤时间的方法及操作,并购买转接件

进行PCB板的出气测试实验

对样品进行fib打孔;

做了一个新的样品单独训练surface的点焊连接

设计一个给surface trap 用的支架

surface trap的oven支架设计,完成,目前在加工

训练surface的点焊连接(和姜越)

做了一个新的样品单独训练surface的点焊连接,清洗cpga和带有光刻胶的样品(包括一些细节的清洗方法),然后测试surface trap和cpga用银胶粘粘,接下来尝试了金带的电焊,寻找合适的实验参数 ###正式样品处理 包括切片 去光刻胶 电焊cpga

surface trap计算模拟

继续捡起计算模拟程序,开始对多层3d结构的计算机模拟进行研究,对不同层的性质和进行了初步的研究,除了一开始的理想导体AU之外,开始考虑中间一些绝缘介质,半导体介质,或者过度结构对于整个电场的复杂影响。 surface trap 模拟优化探究 主要研究了针对surface trap模拟程序的优化,调研文献确定优化方向。结果1.建立surface trap等效电路模型,去计算Uloss Ploss这个是导致,但是势场依旧直接由表面上方Au电极电势直接决定,和表面的额外电荷分布,趋肤、衰减效应等没有直接关系 2.计算heating rate 这个是导致电极变化U Ploss对于离子影响的直接判决。 之后的方向:对每个电极单独计算等效电路产生的Uloss Ploss,然后叠加影响加入到原有的程序中去,在添加时间相关的heating rate 。 ppt: [-/pdf/surface trap simulation adjusting.pptx](-/pdf/surface trap simulation adjusting.pptx)

理论学习

学习了离子阱当中电学控制系统的相关理论和软件用法

了解了量子机器学习的相关算法

quantum neural network 做了一个报告,ppt见

离子阱系统的电学控制相关

370 369光路原理

购买

金带付款,空气净化器, dds付款 电路板 oven支架 upd和upd配适电源 sma新的转接线(给switch电路板用) 丙酮 乙醇到货 pcb板